三星将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产下一代 HBM 基底裸片

据首尔经济日报报道，三星电子决定接受英伟达要求，改用台积电 3nm 工艺生产英伟达下一代 NVHBM 的基底裸片，打破此前核心裸片与基底裸片均由三星自产的一站式模式。英伟达同时要求三星、SK 海力士、美光三家供应商的核心裸片统一采用代号 1c 的第六代 DRAM 工艺。NVHBM 基于 HBM4E 架构，为英伟达 8 月发布的定制版高带宽内存；三星称正评估在自有产线生产该基底裸片的预案。