三星将用台积电3nm为英伟达产HBM基底裸片
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三星将用台积电3nm为英伟达产HBM基底裸片
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据首尔经济日报报道，三星电子已决定接受英伟达要求，改用台积电3nm工艺生产英伟达下一代NVHBM的基底裸片，打破此前核心裸片与基底裸片均由三星自产的一站式模式。 英伟达已向三星、SK海力士、美光三家NVHBM供应商提出同样要求：基底裸片使用台积电3nm工艺，核心裸片统一采用代号1c的第六代DRAM工艺。NVHBM基于HBM4E架构，是英伟达8月发布的定制版高带宽内存。 三星称正评估在自有产线生产该基底裸片的预案。对标准HBM产品及面向AMD等其他客户的定制HBM，三星仍保留一站式全包生产。
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最新进展10月18日 22:51
三星将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产下一代 HBM 基底裸片报道时间线
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10月18日
- IT之家三星将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产下一代 HBM 基底裸片
据首尔经济日报报道，三星电子决定接受英伟达要求，改用台积电 3nm 工艺生产英伟达下一代 NVHBM 的基底裸片，打破此前核心裸片与基底裸片均由三星自产的一站式模式。英伟达同时要求三星、SK 海力士、美光三家供应商的核心裸片统一采用代号 1c 的第六代 DRAM 工艺。NVHBM 基于 HBM4E 架构，为英伟达 8 月发布的定制版高带宽内存；三星称正评估在自有产线生产该基底裸片的预案。
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