格芯公布FDX Fusion路线图：目标7纳米级数字性能，德累斯顿计划2028年量产

格芯公布FDX Fusion全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）工艺路线，称第一代产品预计达到“7纳米级数字性能”，目标2028年在德国德累斯顿工厂开始制造；该说法指数字逻辑性能等级，并非重启2018年暂停的7纳米FinFET研发。