格芯公布7nm级FD-SOI工艺FDX Fusion

GlobalFoundries（格芯）公布7nm级FD-SOI制造工艺FDX Fusion，称其晶体管密度超过2015年前后推出的22FDX两倍以上，面向汽车、边缘AI与工业等低功耗场景，目标2028年在德国德累斯顿工厂量产。公司称第一代产品可达“7nm级数字性能”，但Tom's Hardware指出这一表述含义不明；cnBeta报道称该说法指数字逻辑性能等级，并非重启2018年暂停的7nm FinFET研发。 按公司计划，FDX Fusion演示硅片2027年初交客户评估，首个PDK于2027年年中交付。公司称该工艺支持fT/fmax达0.5 THz的射频晶体管、嵌入式非易失存储与存内计算。上述性能与时间表均为公司说法，目前未公布足够设计数据供外部独立验证。 德累斯顿项目启动仍取决于德国联邦政府是否批准即将推进的IPCEI先进半导体技术项目。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。