MemSilicon“泰山一号”1Gb RRAM芯片完成流片：28nm工艺、1T4R结构

MemSilicon（铭芯启睿）宣布首款高密度大容量“泰山一号”1Gb RRAM芯片已完成流片，正在推进验证。该芯片采用28nm CMOS工艺平台和1T4R单元结构，单芯片容量1Gb，密度达30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路。其技术路线通过多个阻变存储单元共享选择晶体管提升单位面积容量，同时需针对非目标电流路径、读写干扰等可靠性问题做器件、工艺与电路协同优化。