铭芯启睿1Gb RRAM芯片泰山一号流片
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铭芯启睿（MemSilicon）宣布，其首代高密度大容量 RRAM 芯片“泰山一号（MountTai 2026）”已完成流片，目前正在推进芯片验证。该芯片采用 28nm CMOS 工艺平台和 1T4R 结构（一个选择晶体管对应四个阻变存储单元），单芯片容量 1Gb，存储密度 30Mb/mm²，访问延时小于 20ns，并集成片上硬件纠错电路。 公司称，这标志基于 1TnR 技术路线的高密度存储技术从实验室研究推进至 Gb 级芯片产品化落地的关键一步。cnBeta 报道指出，该路线通过多个阻变存储单元共享选择晶体管提升单位面积容量，但需针对非目标电流路径、读写干扰等可靠性问题做器件、工艺与电路协同优化。 上述容量、密度、延时等指标均为铭芯启睿公布，尚待验证结果确认。
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报道时间线
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- cnBeta.COMMemSilicon“泰山一号”1Gb RRAM芯片完成流片：28nm工艺、1T4R结构
MemSilicon（铭芯启睿）宣布首款高密度大容量“泰山一号”1Gb RRAM芯片已完成流片，正在推进验证。该芯片采用28nm CMOS工艺平台和1T4R单元结构，单芯片容量1Gb，密度达30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路。其技术路线通过多个阻变存储单元共享选择晶体管提升单位面积容量，同时需针对非目标电流路径、读写干扰等可靠性问题做器件、工艺与电路协同优化。
- IT之家铭芯启睿首款 1Gb RRAM 芯片“泰山一号”流片：28nm、1T4R 结构，密度 30Mb/mm²
铭芯启睿宣布完成首代高密度大容量 RRAM 芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片，正推进芯片验证。该芯片采用 28nm CMOS 工艺平台及 1T4R 存储结构，单芯片容量 1Gb，存储密度 30Mb/mm²，访问延时小于 20ns，并集成片上硬件纠错电路。公司称这标志 1TnR 高密度存储技术从实验室研究推进至 Gb 级芯片产品化落地的关键一步。
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