SK 海力士公布 3D FeNAND 研究成果，瞄准 AI 计算

SK 海力士公布将 3D FeNAND 用于模拟存内计算（A-CiM）的研究成果，论文已发表于 IEEE。该方案利用模拟信号在存储器内执行乘积累加运算，减少数据搬运以提升速度与能效；3D FeNAND 靠铁电材料极化状态存储数据，可在单个存储单元内产生多种电流状态，适合 AI 计算所需权重数据。