SK 海力士公布 3D FeNAND 研究成果

SK 海力士公布一项研究成果：将 3D FeNAND 用于模拟存内计算（A-CiM），论文已发表于 IEEE。该方案用模拟信号在存储器内执行乘积累加运算，以减少数据搬运、提升速度与能效。 3D FeNAND 依靠铁电材料的极化状态存储数据，可在单个存储单元内产生多种电流状态，SK 海力士称其适合 AI 计算所需的权重数据。目前公开的是研究成果与论文，未涉及量产或商用时间。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。