基辛格再批HBM是糟糕的内存

前英特尔 CEO 帕特·基辛格在 a16Z 专访中再次批评高带宽内存（HBM），称其“糟糕透了”。他给出的理由是：单颗 DRAM 裸片位密度低、总线宽度带来大量并行连接与微凸点、功耗与散热受限；他提到 HBM3/3E 总线宽度为 1,024 位，HBM4 提升至 2,048 位。 基辛格引用韩国科学技术院的分析称，当 HBM 功耗超过约 30 瓦时，GPU 或 ASIC 与 HBM 堆栈之间的物理层接口（PHY）自身发热会成为内存热应力的主要来源。不过他所述的结构问题也对应一个反面：单颗裸片位密度较低，但整个堆叠在每平方毫米层面仍可提供更高累计密度。

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