前英特尔 CEO 基辛格再批 HBM：称其为“糟糕的内存”

前英特尔首席执行官帕特·基辛格在 a16Z 专访中再次批评高带宽内存（HBM），称其“糟糕透了”，理由是位密度低、带宽受限以及功耗散热问题。他指出 HBM3/3E 总线宽度为 1,024 位、HBM4 提升至 2,048 位，需大量并行连接与微凸点；韩国科学技术院分析显示 HBM 功耗超过约 30 瓦时，PHY 自身发热会成为内存热应力主要来源。