三星被曝开发zNAND-T与zNAND-I闪存

韩媒 ZDNET Korea 报道称，三星电子正在开发 zNAND-T 与 zNAND-I 两款面向 AI 负载优化的 NAND 闪存，加上此前已公布的 zNAND-O，共三种。 报道称，zNAND-T 的 T 代表吞吐量，采用 TSV 堆叠 NAND Die，面向数据中心 AI 半导体优化读写带宽；zNAND-I 的 I 指 IOPS，强调少量数据频繁读写的场景，KV Cache 卸载被列为该类应用。 上述信息来自韩媒报道，三星尚未确认这两款产品。

AI 根据报道生成 · 1 小时前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。