消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能

韩媒 ZDNET Korea 报道称，三星电子正在开发 zNAND-T 与 zNAND-I 两款 AI 负载优化 NAND 闪存，加上此前已公布的 zNAND-O 共三种。zNAND-T 的 T 代表吞吐量，采用 TSV 堆叠 NAND Die，面向数据中心 AI 半导体优化读写带宽；zNAND-I 的 I 指 IOPS，强调少量数据频繁读写，KV Cache 卸载属于此类场景。