Intel EMIB与Foveros封装路线图解析
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Intel EMIB与Foveros封装路线图解析
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AI 综述
Tom's Hardware 解读了 Intel 先进封装路线图：EMIB 凸点间距从 2017 年的 55 µm 演进至约 36 µm，并计划进一步降至 25 µm，凸点密度由 330/mm² 提升至 1600/mm²，芯片复合体规模从 2 倍光罩扩展至 12 倍光罩，HBM 堆栈由 4 个增至 24 个。 Intel 称 EMIB-T 预计 2027 年量产，良率与可靠性正达到其目标。2025 年中公布的 Foveros 2.5D 路线图包含 -S、-R、-B 等特性相近的变体，目标间距低于 25 µm，凸点密度从 772 提升至 1600 连接/mm²，芯片间互连功耗为 0.15 pJ/bit；Intel 称 Foveros-R 将于 2027 年做好量产准备。 报道提到，相关 CPU 采用第一代 Foveros Direct 3D，铜键合间距为 9 µm。上述量产时间和目标均来自 Intel 的说法，尚未得到独立验证。
AI 根据报道生成 · 1 小时前更新
最新进展10月14日 20:50
解读 Intel EMIB 与 Foveros 先进封装路线图报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月14日
- Tom's Hardware解读 Intel EMIB 与 Foveros 先进封装路线图
Intel 的 EMIB 从 2017 年 55 µm 凸点间距演进至约 36 µm，并计划进一步降至 25 µm，凸点密度从 330/mm² 增至 1600/mm²，芯片复合体规模由 2 倍光罩扩展到 12 倍光罩、HBM 堆栈由 4 个增至 24 个。
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