解读 Intel EMIB 与 Foveros 先进封装路线图

Intel 的 EMIB 从 2017 年 55 µm 凸点间距演进至约 36 µm，并计划进一步降至 25 µm，凸点密度从 330/mm² 增至 1600/mm²，芯片复合体规模由 2 倍光罩扩展到 12 倍光罩、HBM 堆栈由 4 个增至 24 个。