长鑫G6内存指标预测流出：单元面积缩30%

X平台技术人士Frederick Chen发布长鑫科技下一代内存平台G6的技术预测数据：单元面积将从G5的0.00128205平方微米降至0.000896平方微米，缩减约30%，并首次引入晶圆级混合键合工艺。这是预测，非长鑫官方确认。 据该预测，G6的微缩将靠继续优化193纳米DUV浸没式光刻机，结合自对准四重图案化（SAQP），部分层级用自对准双重图案化（SADP）。G6预计最快2028年推出；长鑫预计今年年底推出融合该技术的新一代DDR5 RDIMM产品；2030年后的G7代产品可能转向4F²结构或3D内存架构。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。