长鑫 G6 内存预测流出：单元面积再缩 30%，键合工艺首次登场

长鑫科技下一代内存平台 G6 的技术预测数据显示，其单元面积将从 G5 的 0.00128205 平方微米降至 0.000896 平方微米，缩减约 30%，并首次引入晶圆级混合键合工艺。