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长鑫存储 4F² DDR5 内存计划遭华尔街分析师质疑:2026 年底推出不等于领先三星两年
中国长鑫存储4F² DDR5内存技术遭华尔街分析师质疑:年内推出不等于领先三星两年 良率才是关键
AI 导读
长鑫存储总裁曹恺介绍 4F² DRAM 进展,计划 2026 年底前推出基于该架构的服务器 DDR5 RDIMM。美国银行认为出口限制或促使其转向存储单元结构创新,Rosenblatt 则质疑其领先三星两年的说法,指出公司尚未公布完整性能规格、量产良率和客户认证情况。
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