三星据称联手台积电为英伟达NVHBM产基础裸片

据 TechPowerUp 报道，三星正与台积电合作，为英伟达新公布的 NVHBM 内存标准供应基础裸片。报道称，英伟达要求该基础裸片必须采用台积电 3nm 工艺制造，而三星自身 3nm 产线无法承接这一环节。 这一合作仅涉及基础裸片，内存部分仍由三星以第六代 10nm 工艺负责。英伟达称，NVHBM 相较标准 HBM4E 带宽最高提升 30%、HBM 功耗降低 15%、计算裸片可用面积增加最高 25%。上述合作与性能数据均来自报道及英伟达说法，尚未见三星或台积电确认。

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